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Akamastu 赤松電機(jī) 油霧集塵機(jī)在CMP研磨設(shè)備上的應(yīng)用

更新時(shí)間:2026-01-24      瀏覽次數(shù):85

Akamastu 赤松電機(jī) 油霧集塵機(jī)在CMP研磨設(shè)備上的應(yīng)用,化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)核心技術(shù)、漿料表征與污染控制體系優(yōu)化總結(jié)

一、CMP 技術(shù)定位與核心原理

1. 技術(shù)定位

半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵平坦化技術(shù),核心目標(biāo)是通過選擇性材料去除,實(shí)現(xiàn)晶圓表面接近原子級(jí)的平坦度,為器件結(jié)構(gòu)成型奠定基礎(chǔ)。

2. 核心機(jī)理

  • 雙重協(xié)同作用:化學(xué)氧化軟化(研磨液特定化學(xué)配方與晶圓表面發(fā)生反應(yīng),降低材料硬度)+ 機(jī)械研磨去除(研磨液中納米級(jí)磨料顆粒物理剝離軟化層)。

  • 關(guān)鍵挑戰(zhàn):① 研磨過程產(chǎn)生化學(xué)產(chǎn)物、磨屑及漿料霧滴,設(shè)備運(yùn)行(如傳動(dòng)部件潤滑)會(huì)生成油霧,二者易附著晶圓表面形成復(fù)合污染,直接影響器件良率;② 后續(xù)清洗需去除顆粒、有機(jī)殘留、金屬污染物及油霧衍生物,且不能造成劃痕、腐蝕、介電常數(shù)漂移等二次損傷。

二、CMP 漿料的核心表征需求

漿料性能直接決定 CMP 工藝的去除率、晶圓缺陷率、平坦化精度,核心表征指標(biāo)聚焦 3 點(diǎn):
  1. 粒度分布(PSD):涵蓋納米級(jí)主顆粒(50-250nm)與微量微米級(jí)聚集體(1-10μm),需同時(shí)精準(zhǔn)量化;

  2. 表面電荷特性:以 Zeta 電位為核心,關(guān)聯(lián)漿料 pH 值、金屬氧化物拋光劑等電點(diǎn),影響漿料穩(wěn)定性與拋光效果;

  3. 低濃度適應(yīng)性:部分場(chǎng)景需在極低粒子濃度下完成納米級(jí)顆粒檢測(cè)。

三、主流表征技術(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景(含設(shè)備與優(yōu)勢(shì))

表征技術(shù)核心設(shè)備 / 技術(shù)細(xì)節(jié)測(cè)量范圍核心優(yōu)勢(shì)適用場(chǎng)景
激光衍射粒度分析HORIBA LA-960V210nm - 5000μm快速精準(zhǔn)、覆蓋寬粒徑范圍,可量化微量超大顆粒常規(guī) CMP 漿料全粒徑表征(主顆粒 + 聚集體)
動(dòng)態(tài)光散射(DLS)HORIBA SZ-100V2<100nm低樣品加載量、適配低濃度樣品補(bǔ)充表征最小納米級(jí)顆粒(<100nm)
熒光相關(guān)光譜(FCS)單分子光譜技術(shù) + Viewsizer 3000 mNTA<10nm(流體動(dòng)力學(xué)直徑)對(duì)超小顆粒敏感,與 mNTA 互補(bǔ)制程(小特征尺寸)漿料表征
Zeta 電位測(cè)量專用 Zeta 電位分析儀-關(guān)聯(lián)漿料 pH 值與拋光劑表面電荷,優(yōu)化流體化學(xué)漿料穩(wěn)定性調(diào)控、拋光劑表面電荷表征

四、工藝輔助設(shè)備:赤松油霧集成機(jī)的協(xié)同作用

1. 設(shè)備核心定位

針對(duì) CMP 工藝的油霧 - 顆粒復(fù)合污染,提供源頭凈化解決方案,其核心價(jià)值是保障晶圓潔凈度、設(shè)備精度與車間環(huán)保合規(guī),與漿料表征、后段清洗形成污染控制閉環(huán)。

2. 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)與 CMP 適配性

設(shè)備參數(shù) / 特性具體指標(biāo)對(duì) CMP 工藝的核心價(jià)值
污染物捕集效率0.3μm 顆粒達(dá) 99.93%,兼容油性 / 水溶性污染物精準(zhǔn)捕獲 CMP 漿料霧滴(含納米級(jí)磨料)、設(shè)備油霧,避免污染晶圓表面與表征設(shè)備透鏡
處理風(fēng)量27.5-33 m3/min(HVS-2500 型號(hào))適配大型 CMP 設(shè)備集群,快速抽排高濃度污染氣流,控制污染擴(kuò)散范圍
結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)離心預(yù)分離 + 多層復(fù)合濾芯,防泄漏密封避免凈化過程中二次泄漏污染,適配半導(dǎo)體潔凈室環(huán)境
維護(hù)特性無工具快拆,5 分鐘內(nèi)完成濾芯更換減少生產(chǎn)線停機(jī)時(shí)間,降低運(yùn)維成本
合規(guī)性符合 CE、GB、RoHS 環(huán)保規(guī)范滿足半導(dǎo)體行業(yè)嚴(yán)格環(huán)保要求,規(guī)避合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)

3. 與 CMP 工藝的協(xié)同邏輯

  • 源頭控制:在 CMP 設(shè)備研磨區(qū)域上方構(gòu)建局部負(fù)壓環(huán)境,快速捕獲研磨液霧化顆粒(如 50-250nm 磨料霧滴)與機(jī)械油霧,減少污染物附著晶圓的概率,降低后段清洗壓力;

  • 設(shè)備保護(hù):避免油霧與顆?;旌衔锍练e在 CMP 研磨頭、傳動(dòng)部件及漿料表征設(shè)備(如光譜橢偏儀、粒度分析儀)的光學(xué)元件上,延長設(shè)備使用壽命并保障表征數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性;

  • 全流程適配:兼容 CMP 工藝的 25-90℃工作溫度范圍,標(biāo)準(zhǔn)法蘭接口可直接對(duì)接車間通風(fēng)管路,無需大幅改造現(xiàn)有生產(chǎn)線。

五、關(guān)鍵技術(shù)補(bǔ)充與全流程優(yōu)化建議

  1. 表征 - 凈化協(xié)同:激光衍射(全粒徑表征)+ DLS/FCS(細(xì)顆粒檢測(cè))+ 赤松油霧集成機(jī)(源頭凈化)+ 后段清洗,形成 “漿料質(zhì)量把控 - 污染源頭攔截 - 殘留精準(zhǔn)去除" 的全鏈條控制,可使晶圓缺陷率降低 2%-5%;

  2. 油霧凈化選型建議:針對(duì)單臺(tái) CMP 設(shè)備可配置赤松 HVS-100/HVS-220 小型機(jī)型,大型生產(chǎn)線集群建議采用 HVS-2500 大風(fēng)量機(jī)型實(shí)現(xiàn)集中凈化,兼顧凈化效率與能耗優(yōu)化;

  3. 前沿應(yīng)用延伸:結(jié)合 Zeta 電位測(cè)量優(yōu)化漿料 pH 值,可減少研磨液霧化傾向,與赤松集成機(jī)的離心預(yù)分離技術(shù)形成互補(bǔ),進(jìn)一步提升污染控制效率。

  4. Akamastu 赤松電機(jī) 油霧集塵機(jī)在CMP研磨設(shè)備上的應(yīng)用,主要推薦型號(hào):SMG,HVS,SMX

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